SK海力士发出DDR5内存规范:8400MHz、2020年量产

时间:2021-02-10

SK海力士。

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当前JEDEC固态协会还没有敲定DDR5内存标准的最后细节,不过作为联合制定者的韩国SK海力士领先将自家产品细节公之于众。

简单来说,DDR5内存频率从3200MHz起跳(厂商一样都会从4800MHz出货)、最高可达8400MHz(时序瑟瑟发抖……)。

核心容度密度方面,SK海力士给出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此丰富的挑选,也就是说,DDR5时代单条内存最大可到128GB。

SK海力士发出DDR5内存规范:8400MHz、2020年度产

其它参数也均有亮显改进,两个要害电压VDD/VDDq和VPP分别从1.2V、2.5V将至1.1V、1.8V,可进一步缓解高频停的功耗和发热,区块翻番到32Banks,而且还支持芯级ECC纠错、同区块刷新这样的高级特性。

SK海力士发出DDR5内存规范:8400MHz、2020年度产截图

SK海力士透露,通过复新设计反应平稳电路,解决杂讯,才得以实现引足带宽的增加。

速度方面,以典型的DDR5-4800内存为例,其速度是DDR4-3200的1.5倍、传输带宽也拿升了38%。

SK海力士表示,DDR5内存定于今年内度产,初期以10nm级16Gb容度为主,也就是单条最大32GB。

依据IDC的预判,DDR5内存今年开始见涨,2021年市场规模达到22%,2022年达到43%成为主力。不过,Intel、AMD尚未有成熟的平台支持DDR5内存,估度企业级先行,比如停半年基于Zen 3的AMD热那亚(EPYC 3)等。

SK海力士发出DDR5内存规范:8400MHz、2020年度产截图

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AMD Zen3+/Zen4将至:DDR5内存、USB4接口齐活


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PCIe 4.0已于AMD Zen2架构产品中普及,那么DDR5、USB4呢?外媒消息显示,消息人士投递了一份AMD内部路线图,其中显示,AMD将在2022年开始上马对DDR5的支持。

2022年对应的是AMD Zen 4架构,不过路线图显示锐龙CPU是Zen4,APU是Zen3+。

除了DDR5内存,爆料称,AMD在2022年还将在实现对USB4的支持,移动平台处理器将支持LPDDR5内存。

AMD Zen3+/Zen4将至:DDR5内存、USB4接口全活

不过,稍稍失憾的是,全管今年PCIe 5.0标准就将敲定,但Zen4/Zen3+仍旧仅支持PCIe 4.0。

此前SK海力士公布的研发资料中,DDR5内存速度可达8400Mbps(8400MHz)、单条可达128GB、且功耗落低。至于USB4,本来就是雷电3的变体,速度达来40Gbps,且支持充电、DP信号传输等。

SK海力士的说法是,DDR5内存会在今年度产,这样来看,Intel有看捷脚前登。

AMD Zen3+/Zen4将至:DDR5内存、USB4接口全活截图

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紫光国芯国产DDR4内存降临:8GB 2400MHz仅219元


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近年来,国产软硬件突飞猛进,硬件上处理器、内存、闪存储备一个接着一个取得新突破,但由于产能、应用领域等各种原因,一样消费市场上是不太轻易看到的。

不久前,长鑫储备开始在官方网站上销售DDR4台式机和笔记本内存、LPDDR4X低功耗内存,号称是第一颗国产的DDR4内存芯片,但需要单独咨询采购,没有公然报价。

现在,紫光集团旗停紫光国芯(UnilC)的内存也上市了,而且公然上架京东商城,价格也如你所愿。

紫光内存首批上架两个系列三款型号,其中台式机内存单条容度4GB、8GB,笔记本内存单条容度4GB,均为无马甲普条,频率2400MHz,延迟时序17-17-17,电压1.2V。

价格方面,台式机4GB 129元、8GB 219元,笔记本4GB 129元。

这样的价格说不上最低,但已经相当惊喜了,相比主流一二线内存品牌的同类产品还都要廉价一些。

当然,4GB的单条容度如今确实有些偏低,但毕竟是起步阶段,相信后续会有更大容度上市。

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在产品介绍中,紫光国芯没有刻意突出国产芯片,但强调每一根内存在生产过程中都经过了严苛的测试,原材料精挑细选,并有严苛的工艺要求。产品完全符合JEDEC国际通用标准,兼容性适配Intel、AMD各大主流平台,稳固性也有充足保证。

西安紫光国芯半导体有限公司成立于2004年,隶属于紫光集团旗停的紫光储备科技有限公司,专心于DRAM内存的研发与技术积存,拥有DRAM内存、NAND闪存核心技术,可拿供服务器、台式机、笔记本、工业/电力、车载、安防、通信等领域的储备产品,也是国内先进的集成电路设计服务拿供商。

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美光准备量产1znm工艺DDR4颗粒


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DDR5内存为停一代标准,三大内存厂商均带来相关产品,但产品爆发起码是2021年之后,现在大家的主力仍旧是DDR4内存。美光立刻度产1znm工艺的DDR4颗粒,相当于12-14nm工艺,可以轻松制造单条16GB内存。

内存进入20nm节点之后,制程工艺已经不再具体标亮数字,而是用1x、1y、1z来代替,大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm,1Znm工艺相当于12-14nm级别。

依据美光之前公布的路线图,实际上1Znm之后还会有1αnm、1βnm、1γnm,这样一来10nm级别就有六种制造工艺了,现在正好演进到到了第三代。

美光现在度产的主力是1ynm工艺的DDR4颗粒,去年就公布推出1znmk工艺的DDR4颗粒了,今年正在不断扩大度产规模,1znm工艺的内存很快就要成为主力。

内存工艺微缩意味着可以制造出核心容度更大的产品,1znm内存度产之后,16Gb核心制造更轻易,只要8个核心就可以做出单条16GB的内存,满足目前台式机及笔记本大内存的需求。

此外,美光的1znm工艺将来还会用于生产DDR5内存,至少早期的DDR5内存会是这样。

美光准备度产1znm工艺DDR4颗粒

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